広帯域幅クワッドJFET入力オペアンプ LF347M
electronics ic chip
,integrated circuit components
LF147/LF347 広帯域幅クワッド JFET 入力オペアンプ
概要
LF147 は、内部で調整された入力オフセット電圧 (BI-FET II™ テクノロジー) を備えた、低コスト、高速クワッド JFET 入力オペアンプです。このデバイスは、低い供給電流を必要としますが、大きな利得帯域幅積と高速なスルーレートを維持します。さらに、適切に整合された高電圧 JFET 入力デバイスにより、入力バイアスとオフセット電流が非常に低くなります。
LF147 は標準の LM148 とピン互換です。この機能により、設計者は既存の LF148 および LM124 設計の全体的なパフォーマンスを即座にアップグレードできます。LF147 は、高速積分器、高速 D/A コンバータ、サンプルアンドホールド回路、および低入力オフセット電圧、低入力バイアス電流、高入力インピーダンス、高スルーレート、広帯域幅を必要とするその他の多くの回路などのアプリケーションで使用できます。 。このデバイスはノイズとオフセット電圧ドリフトが低くなります。
特徴
- 内部トリミングされたオフセット電圧: 最大 5 mV
- 低入力バイアス電流: 50 pA
- 広いゲイン帯域幅: 4 MHz
- 高スルーレート: 13 V/μs
- 低い供給電流: 7.2 mA
- 高入力インピーダンス: 1012Ω
- 低全高調波歪 AV=10、: <0.02% RL=10k、VO=20 Vp-p、BW=20 Hz−20 kHz
- 低1/fノイズコーナー：50Hz
- 0.01%までの高速セトリング時間: 2 µs
簡略化した概略接続図
DC電気的特性(注7)
| シンボル | パラメータ | 条件 | LF147 | LF347B | LF347 | 単位 | ||||||
| 分 | タイプ | マックス | 分 | タイプ | マックス | 分 | タイプ | マックス | ||||
| VOS | 入力オフセット電圧 |
RS=10kΩ、Tあ=25℃ 過熱 |
1
|
5 8 |
3
|
5 7 |
5
|
10 13 |
mV mV |
|||
| ΔVOS/ΔT | 入力オフセット電圧の平均TC | RS=10kΩ | 10 | 10 | 10 | μV/℃ | ||||||
| 私OS | 入力オフセット電流 |
Tj=25℃、(注7、8) 過熱 |
25
|
100 25 |
25
|
100 4 |
25
|
100 4 |
pA NA |
|||
| 私B | 入力バイアス電流 |
Tj=25℃、(注7、8) 過熱 |
50
|
200 50 |
50
|
200 8 |
50
|
200 8 |
pA NA |
|||
| Rの | 入力抵抗 | Tj=25℃ | 1012 | 1012 | 1012 | Ω | ||||||
| あ巻 | 大信号電圧利得 |
VS=±15V、Tあ=25℃ V○=±10V、RL=2kΩ 過熱 |
50
25 |
100
|
50
25 |
100
|
25
15 |
100
|
V/mV
V/mV |
|||
| V○ | 出力電圧振幅 | VS=±15V、RL=10kΩ | ±12 | ±13.5 | ±12 | ±13.5 | ±12 | ±13.5 | V | |||
| VCM |
入力同相電圧 範囲 |
VS=±15V
|
±11
|
+15
-12 |
±11
|
+15
-12 |
±11
|
+15
-12 |
V
V |
|||
| CMRR | コモンモード除去比 | RS≤10kΩ | 80 | 100 | 80 | 100 | 70 | 100 | dB | |||
| PSRR | 電源電圧除去比 | (注9) | 80 | 100 | 80 | 100 | 70 | 100 | dB | |||
| 私S | 消費電流 | 7.2 | 11 | 7.2 | 11 | 7.2 | 11 | ミリアンペア | ||||
注 2: 絶対最大定格は、それを超えるとデバイスに損傷が発生する可能性がある制限を示します。動作定格は、デバイスが機能する条件を示しますが、特定の性能限界を保証するものではありません。
Note 3: 特に指定がない限り、負の絶対最大入力電圧は負の電源電圧と等しくなります。
Note 4: アンプの出力はいずれもグランドに無制限に短絡できますが、最大接合部温度を超えるため、複数の出力を同時に短絡しないでください。
Note 5: 高温で動作する場合、これらのデバイスは熱抵抗 θjA に基づいて定格を下げる必要があります。
注6: LF147は軍用温度範囲-55˚C≤TA≤125˚Cで利用可能ですが、LF347BおよびLF347は商用温度範囲0˚C≤TA≤70˚Cで利用可能です。ジャンクション温度は Tj max = 150°C まで上昇する可能性があります。
Note 7: 特に指定のない限り、仕様は全温度範囲に適用され、LF147 の場合は VS=±20V、LF347B/LF347 の場合は VS=±15V に適用されます。VOS、IB、IOS は VCM=0 で測定されます。
Note 8: 入力バイアス電流は接合リーク電流であり、接合温度 Tj が 10 ℃上昇するごとに約 2 倍になります。生産テスト時間が限られているため、測定された入力バイアス電流はジャンクション温度と相関関係があります。通常動作では、内部電力損失 PD の結果、ジャンクション温度が周囲温度よりも上昇します。Tj =TA+θjA PD ここで、θjA は接合部から周囲までの熱抵抗です。入力バイアス電流を最小限に抑える必要がある場合は、ヒートシンクの使用を推奨します。
Note 9: 電源電圧除去比は、LF347 および LF347B の場合は VS = ± 5V ～ ±15V、LF147 の場合は VS = ±20V ～ ±5V の一般的な慣行に従って、電源の大きさを同時に増加または減少させて測定されます。
注 10: LF147D および LF147J の軍事仕様については、RETS147X を参照してください。
注11：最大値消費電力はパッケージの特性によって決まります。Max.付近の部分を操作する。消費電力により、デバイスが保証限界を超えて動作する可能性があります。
注 12: 人体モデル、100 pF と直列に 1.5 kΩ
| イメージ | 部分# | 記述 | |
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LM358DR2G力管理IC単一の供給の二重演算増幅器 |
General Purpose Amplifier 2 Circuit 8-SOIC
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