Lincmose プログラマブル低消費電力オペアンプ TLC271CDR
electronics ic chip
,integrated circuit components
LinCMOSTMプログラマブル低消費電力オペアンプ
*入力オフセット電圧ドリフト ...通常
0.1 μV/月（最初の 30 日を含む）
*幅広い供給電圧範囲
指定温度範囲:
0℃～70℃。。。3V～16V
–40℃～85℃。。。4V～16V
–55℃～125℃。。。5V～16V
*単一電源動作
*コモンモード入力電圧範囲
ネガティブレールの下に拡張 (C-サフィックスと
I-接尾辞の種類)
*低ノイズ 。。。25 nV/√Hz (通常)
f = 1 kHz (高バイアスモード)
*出力電圧範囲には負のレールが含まれます
*高入力インピーダンス。。。1012Ω標準
*ESD保護回路
*スモールアウトラインパッケージオプションも利用可能
テープ＆リールで
*ラッチアップ耐性を備えた設計
説明
TLC271 オペアンプは、幅広い入力オフセット電圧グレードと、低オフセット電圧ドリフトおよび高入力インピーダンスを組み合わせています。さらに、TLC271 は、ユーザーが特定のアプリケーションに対して消費電力と AC 性能の最適な組み合わせを選択できるバイアス選択モードを提供します。これらのデバイスはテキサス・インスツルメンツのシリコンゲート LinCMOS を使用していますTMこの技術は、従来のメタルゲートプロセスで得られる安定性をはるかに超えるオフセット電圧の安定性を提供します。
デバイスの機能
| パラメータ† | バイアス選択モード | ユニット | ||
| 高い | 中くらい | 低い | ||
| PD | 3375 | 525 | 50 | μW |
| SR | 3.6 | 0.4 | 0.03 | V/μs |
| Vn | 25 | 32 | 68 | nV/√Hz |
| B1 | 1.7 | 0.5 | 0.09 | MHz |
| あVD | 23 | 170 | 480 | V/mV |
†V での典型的なDD= 5 V、Tあ= 25℃
等価回路図
動作時の自由空気温度にわたる絶対最大定格
(特に明記されていない限り)†
電源電圧、VDD(注1を参照)。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。18V
差動入力電圧、VID(注2を参照)。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。.. .。±VDD
入力電圧範囲、V私(任意の入力) 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。– 0.3V～VDD
入力電流、I私。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。±5mA
出力電流、I○。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。±30mA
25°C (またはそれ以下) での短絡電流の持続時間 (注 3 を参照)。。。。.. .。。。。。。。。。。。。。。。。。。.無制限
継続的な総損失。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。損失定格表を参照
動作時の自由空気温度、Tあ:C サフィックス。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。.0℃～70℃
私はサフィックスを付けます。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。– 40℃～85℃
M 接尾辞。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。– 55℃～125℃
保管温度範囲。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。– 65℃～150℃
60 秒間のケース温度: FK パッケージ。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。260℃
リード温度 1.6 mm (1/16 インチ) からケースから 10 秒間: D または P パッケージ。。。。。。。。。。。。。.260℃
リード温度 1.6 mm (1/16 インチ) からケースから 60 秒間: JG パッケージ。。。。。。。。。。。。。。。。.300℃
† 「絶対最大定格」に記載されているストレスを超えるストレスは、デバイスに永久的な損傷を与える可能性があります。これらはストレス定格のみであり、これらの条件または「推奨動作条件」に示されている条件を超えるその他の条件でのデバイスの機能動作は暗示されません。絶対最大定格条件に長時間さらされると、デバイスの信頼性に影響を与える可能性があります。
注: 1. 差動電圧を除くすべての電圧値は、ネットワーク グラウンドを基準としています。
2. 差動電圧は IN– に対して IN+ にあります。
3. 出力はいずれかの電源に短絡する可能性があります。温度や供給電圧は、確実に制限する必要があります。
最大損失定格を超えていないこと (アプリケーションのセクションを参照)。
損失定格表
| パッケージ |
Tあ25℃以下 電力定格 |
ディレーティング係数 Tの上あ= 25℃ |
Tあ= 70℃の定格電力 |
Tあ= 85℃ 電力定格 |
Tあ= 125℃ 電力定格 |
| D | 725mW | 5.8mW/℃ | 464mW | 377mW | 145mW |
| FK | 1375mW | 11.0mW/℃ | 880mW | 715mW | 275mW |
| JG | 1050mW | 8.4mW/℃ | 672mW | 546mW | 210mW |
| P | 1000mW | 8.0mW/℃ | 640mW | 520mW | 200mW |
推奨動作条件
| C サフィックス | I サフィックス | M サフィックス | ユニット | ||
| 最小 最大 | 最小 最大 | 最小 最大 | |||
| 電源電圧、VDD | 3 16 | 4 16 | 5 16 | V | |
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コモンモード 入力電圧VIC |
VDD= 5V | –0.2 3.5 | –0.2 3.5 | 0 3.5 | V |
| VDD= 10V | –0.2 8.5 | –0.2 8.5 | 0 8.5 | ||
| 動作時の自由空気温度、Tあ | 0 70 | –40 85 | –55 125 | ℃ | |
LMC6482IMX/NOPB Cmosの二重柵に柵入出力演算増幅器IC
DRV602PWRのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫
OPA335AIDR 電子ICチップ 単一供給 CMOS 動作増幅器
OPA4228UAの一般目的のアンプ4回路14 SOIC 11 V/ΜSのスルー・レート
TL082CPの集積回路Chipjfetは演算増幅器の高いスルー・レートを入れた
TAS5162DKDR 新しい原産物
TL062CDR 新しい原産物
LM324N 新しい原産物
| イメージ | 部分# | 記述 | |
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LMC6482IMX/NOPB Cmosの二重柵に柵入出力演算増幅器IC |
CMOS Amplifier 2 Circuit Rail-to-Rail 8-SOIC
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DRV602PWRのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫 |
Amplifier IC 2-Channel (Stereo) Class AB 14-TSSOP
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OPA335AIDR 電子ICチップ 単一供給 CMOS 動作増幅器 |
Zero-Drift Amplifier 1 Circuit Rail-to-Rail 8-SOIC
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OPA4228UAの一般目的のアンプ4回路14 SOIC 11 V/ΜSのスルー・レート |
General Purpose Amplifier 4 Circuit 14-SOIC
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TL082CPの集積回路Chipjfetは演算増幅器の高いスルー・レートを入れた |
J-FET Amplifier 2 Circuit 8-PDIP
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TAS5162DKDR 新しい原産物 |
Amplifier IC 2-Channel (Stereo) Class D 36-HSSOP
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TL062CDR 新しい原産物 |
J-FET Amplifier 2 Circuit 8-SOIC
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LM324N 新しい原産物 |
General Purpose Amplifier 4 Circuit 14-PDIP
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