TLC272CDR 集積回路の破片、Lincmos の精密二重演算増幅器 Ic の破片
electronics ic chip
,integrated circuit ic
TLC272CDR 集積回路の破片、Lincmos の精密二重演算増幅器 Ic の破片
► トリミングされたオフセット電圧:
TLC277 。。。25°C、VDD = 5 V で最大 500 µV
►入力オフセット電圧ドリフト ...
通常、最初の 30 日間を含む 0.1 μV/月
►指定された温度範囲にわたる幅広い供給電圧:
0℃～70℃。。。3V～16V
–40℃～85℃。。。4V～16V
–55℃～125℃。。。4V～16V
►単一電源動作
►コモンモード入力電圧範囲は負レール以下に拡張(C-Suffix、I-Suffixタイプ)
► 低ノイズ ...f = 1 kHz で通常 25 nV/√Hz
►出力電圧範囲には負のレールが含まれます
► 高い入力インピーダンス。。。1012Ω標準
►ESD保護回路
►スモールアウトラインパッケージオプションはテープアンドリールでもご利用いただけます
►ラッチアップ耐性を備えた設計
説明
TLC272 および TLC277 高精度デュアル オペアンプは、幅広い入力オフセット電圧グレードと、低オフセット電圧ドリフト、高入力インピーダンス、低ノイズ、および汎用 BiFET デバイスに近い速度を兼ね備えています。
これらのデバイスは、Texas Instruments のシリコンゲート LinCMOS® テクノロジーを使用しており、従来のメタルゲート プロセスで得られる安定性をはるかに超えるオフセット電圧の安定性を提供します。
非常に高い入力インピーダンス、低いバイアス電流、および高いスルーレートにより、これらのコスト効率の高いデバイスは、これまで BiFET および NFET 製品用に予約されていたアプリケーションに最適です。低コストの TLC272 (10 mV) から高精度 TLC277 (500 μV) まで、4 つのオフセット電圧グレード (C サフィックスおよび I サフィックス タイプ) が用意されています。これらの利点は、優れたコモンモード除去および電源電圧除去と組み合わせることで、これらのデバイスを新しい最先端の設計や既存の設計のアップグレードに適した選択肢にします。
等価回路図（各アンプ）
在庫リスト
| MIC2012YM | 6340 | ミクロル | 16歳以上 | SOP |
| PCA9635PW | 12600 | 14歳以上 | TSSOP | |
| A3PN060-ZVQG100 | 3380 | アクテル | 14歳以上 | QFP100 |
| MAX913ESA+ | 10054 | マキシム | 16歳以上 | SOP |
| MAX8815AETB+ | 9322 | マキシム | 16歳以上 | TDFN |
| PS22A78-E | 500 | 三菱 | 12歳以上 | モジュール |
| NUP4114UCW1T2G | 30000 | の上 | 16歳以上 | SC70-6 |
| MC56F8025VLD | 3586 | フリースケール | 14歳以上 | LQFP |
| MMUN2211LT1G | 20000 | の上 | 16歳以上 | SOD-123 |
| PIC12F1572-I/SN | 5498 | マイクロチップ | 16歳以上 | SOP |
| XC3SD1800A-4CSG484I | 232 | ザイリンクス | 15歳以上 | BGA |
| XC3S1600E-4FGG484I | 200 | ザイリンクス | 14歳以上 | BGA |
| LT1762EMS8 | 10698 | 線形 | 16歳以上 | MSOP-8 |
| MB2S-E3 | 38000 | ビシェイ | 16歳以上 | SOP |
| LMV7219M5X | 4183 | NSC | 15歳以上 | SOT-23-5 |
| MAX3490EESA | 12900 | マキシム | 16歳以上 | SOP |
| P89V51RD2FN | 3924 | 14歳以上 | 浸漬 | |
| LMZ14201TZ-ADJ | 3107 | NSC | 14歳以上 | TO-PMOD |
| MMUN2111LT1G | 20000 | の上 | 16歳以上 | SOD-123 |
| LM5069MM-1 | 2918 | NSC | 10+ | MSOP-10 |
| LT1175IQ-5 | 9026 | 線形 | 16歳以上 | TO-263 |
| ZTX603 | 7089 | ゼテックス | 10+ | TO-92 |
| LA1851N | 3532 | 三洋電機 | 14歳以上 | SOP30 |
| CY7C68013A-100AXC | 1684年 | ヒノキ | 14歳以上 | TQFP100 |
| XC3S200-4TQG144I | 100 | ザイリンクス | 14歳以上 | QFP144 |
| XP1050-QJ-0GOT | 100 | マーコム | 15歳以上 | QFN |
| MAX4073HAXK | 13150 | マキシム | 16歳以上 | SOT |
| MT47H64M16NF-25E:M | 7219 | ミクロン | 14歳以上 | BGA |
| LTC3446EDE | 6727 | 線形 | 14歳以上 | DFN |
| LT4356IDE-1 | 6242 | LT | 15歳以上 | DFN |
| LTC6103HMS8 | 6103 | 線形 | 15歳以上 | MSOP |
| BSM75GB120DN2 | 518 | EUPEC | 15歳以上 | モジュール |
| 1MBI300N-120 | 393 | 富士 | 15歳以上 | モジュール |
| PCF7947AT | 5422 | 15歳以上 | SOP | |
| 88E6083 | 1112 | マーベル | 15歳以上 | QFP |
| PGA103U | 7650 | TI | 16歳以上 | SOP |
| LTC4066EUF | 6493 | LT | 15歳以上 | QFN |
| LM2676T-ADJ | 1000 | NSC | 14歳以上 | TO-220 |
| PIC16F1829-I/P | 5273 | マイクロチップ | 16歳以上 | 浸漬 |
| LM98714CCMT | 2733 | NSC | 13歳以上 | TSSOP-48 |
| MCP6H04-E/SL | 5536 | マイクロチップ | 16歳以上 | SOP-14 |
| PCM2702E | 3500 | TI | 16歳以上 | SSOP |
| MAXQ1103-ENS | 762 | マキシム | 14歳以上 | TQFP |
| XCF32PFS48C | 406 | ザイリンクス | 13歳以上 | BGA |
| BQ24745RHDR | 2916 | TI | 15歳以上 | QFN |
| 0402CS-24NXGLW | 4000 | コイルクラフト | 12歳以上 | SMD |
LMC6482IMX/NOPB Cmosの二重柵に柵入出力演算増幅器IC
DRV602PWRのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫
OPA335AIDR 電子ICチップ 単一供給 CMOS 動作増幅器
OPA4228UAの一般目的のアンプ4回路14 SOIC 11 V/ΜSのスルー・レート
TL082CPの集積回路Chipjfetは演算増幅器の高いスルー・レートを入れた
TAS5162DKDR 新しい原産物
TL062CDR 新しい原産物
LM324N 新しい原産物
| イメージ | 部分# | 記述 | |
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LMC6482IMX/NOPB Cmosの二重柵に柵入出力演算増幅器IC |
CMOS Amplifier 2 Circuit Rail-to-Rail 8-SOIC
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DRV602PWRのフラッシュ・メモリICの新しく、元の在庫 |
Amplifier IC 2-Channel (Stereo) Class AB 14-TSSOP
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OPA335AIDR 電子ICチップ 単一供給 CMOS 動作増幅器 |
Zero-Drift Amplifier 1 Circuit Rail-to-Rail 8-SOIC
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OPA4228UAの一般目的のアンプ4回路14 SOIC 11 V/ΜSのスルー・レート |
General Purpose Amplifier 4 Circuit 14-SOIC
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TL082CPの集積回路Chipjfetは演算増幅器の高いスルー・レートを入れた |
J-FET Amplifier 2 Circuit 8-PDIP
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TAS5162DKDR 新しい原産物 |
Amplifier IC 2-Channel (Stereo) Class D 36-HSSOP
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TL062CDR 新しい原産物 |
J-FET Amplifier 2 Circuit 8-SOIC
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LM324N 新しい原産物 |
General Purpose Amplifier 4 Circuit 14-PDIP
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